کد مطلب: ۳۹۴۹۱۶

|

|

نگارمگ اخبار اخبار علمی آموزشی

۰۶ بهمن ۱۴۰۱ - ۰۹:۲۶

رم LPDDR ۵ T DRAM رکورد سرعت را شکست

شرکت SK Hynix اعلام کرد که به‌زودی تولید انبوه رم جدید LPDDR ۵ T را آغاز می‌کند که سرعت انتقال اطلاعات بسیار بالایی دارد.

به گزارش مجله خبری نگار، شرکت SK Hynix در اطلاعیه‌ای از توسعه تراشه رم جدید LPDDR ۵ T DRAM خبر داد. گفته می‌شود که این تراشه سریعترین رم موبایل دنیا برای دستگاه‌های قابل‌حمل خواهد بود؛ چرا که سرعت انتقال داده در آن به ۹.۶ گیگابیت بر ثانیه می‌رسد.

در بیانیه SK Hynix اعلام شده است که حافظه LPDDR ۵ T حدود ۱۳ درصد از LPDDR ۵ X که در ماه نوامبر ۲۰۲۲ معرفی شده بود، سریعتر است. این شرکت به همین دلیل حرف T را در انتهای نام این فناوری قرار داده که نمایانگر واژه «توربو» است.

این حافظه جدید با رنج ولتاژ بسیار پایین ۱.۰۱ تا ۱.۱۲ ولتی کار می‌کند تا مصرف انرژی بسیار کمی داشته باشد. SK Hynix می‌گوید نمونه‌هایی از بسته چندتراشه ۱۶ گیگابایتی خود را در اختیار بعضی از مشتریانش قرار داده است. این بسته که درواقع چند تراشه LPDDR ۵ T را با هم ارائه می‌کند، می‌تواند در هر ثانیه ۷۷ گیگابایت داده را پردازش کند.

ین شرکت در نظر دارد که در نیمه دوم سال ۲۰۲۳ تولید انبوه تراشه‌های LPDDR ۵ T را با فناوری ۱ anm آغاز کند. این فناوری نسل چهارم فرایند تولید ۱۰ نانومتری است. SK Hynix انتظار دارد که LPDDR ۵ T تا پیش از عرضه LPDDR ۶ رهبری بازار در دست بگیرد.

صنعت فناوری پیش‌بینی می‌کند که با توسعه شبکه ۵ G تقاضا برای تراشه‌های حافظه پیشرفته بیشتر شود. در همین راستا، SK Hynix انتظار دارد که LPDDR ۵ T افزون بر گوشی‌های هوشمند، در محصولات مبتنی بر هوش مصنوعی، یادگیری ماشینی و واقعیت افزوده و مجازی هم استفاده شود.

سونگسو ریو، رئیس واحد برنامه‌ریزی محصولات DRAM در SK Hynix می‌گوید: شرکت با توسعه LPDDR ۵ T به نیاز مشتریان برای محصولات پرتوان پاسخ داده است. ما به تلاش برای توسعه فناوری ادامه می‌دهیم تا در بازار نسل بعدی نیمه‌رسانا‌ها پیشگام باشیم و نقشی اساسی در تحول دنیای IT ایفا کنیم.

لینک کپی شد

منبع: yjc

اشتراک‌ گذاری

۰ پسندیدم

گزارش خطا

ارسال نظرات

انتشار یافته: ۰ |

در انتظار بررسی: ۰ |

غیر قابل انتشار: ۰

قوانین ارسال نظر