به گزارش مجله خبری نگار/گجت نیوز،توسعه تراشه اتمی، که توسط پژوهشگران دانشگاه فودان در شانگهای چین صورت گرفته، گامی نوین در عرصه نیمهرساناها به شمار میرود. این پژوهشگران موفق شدهاند نمونههای اولیه تراشههایی را با ترکیب مواد اتمی و تراشههای سنتی سیلیکونی تولید کنند. هدف اصلی این نوآوری، افزایش چشمگیر کارایی و کاهش ابعاد دستگاههای الکترونیکی است. این پیشرفت انقلابی، پتانسیل ایجاد نسلی کاملاً جدید از لوازم الکترونیکی را داراست.
به رهبری پروفسور چانسون لیو در دانشگاه فودان چین، یک ماژول حافظه دوبعدی تکلایه دیسولفید مولیبدن (MoS₂) مستقیماً روی چیپ CMOS سیلیکونی ادغام شده است. این فرآیند “Atom۲Chip” نام دارد و با غلبه بر شکنندگی مواد دوبعدی، راه را برای تولید تراشه اتمی کارآمد هموار میکند.
پیشرفت فراتر از قانون مور
چیپ فلش حافظه ۱ کیلوبایتی دوبعدی NOR حاصل، کاملاً عملیاتی است. با سرعت ۵ مگاهرتز، زمان برنامهریزی و پاککردن ۲۰ نانوثانیه و مصرف انرژی کم، این چیپ از حافظههای سیلیکونی موجود بهتر عمل میکند. این دستاورد مهم، گامی کلیدی به سوی «عصر آنگستروم» در طراحی تراشه و تداوم قانون مور است.