به گزارش مجله خبری نگار/دانشمندان در کنفرانس سمپوزیوم فناوری و مدارهای VLSI (SVLSI) سال ۲۰۲۵ گزارش دادند که محققان موسسه علوم صنعتی دانشگاه توکیو از ترانزیستور جدیدی رونمایی کردهاند که از اکسید ایندیم آلاییده شده با گالیوم ساخته شده است.
ترانزیستورها پایه و اساس تمام الکترونیک مدرن هستند. آنها سیگنالهای الکتریکی را روشن و خاموش میکنند و عملکرد تلفنهای هوشمند، رایانهها و حتی اتومبیلها را کنترل میکنند. تاکنون تقریباً همه ترانزیستورها از سیلیکون ساخته شده بودند. اما با کوچکتر شدن دستگاهها، سیلیکون شروع به از دست دادن جایگاه خود کرده است - استفاده از آن برای ایجاد تراشههای کوچکتر و قدرتمندتر دشوار است.
دانشمندان یک راه حل جدید دارند: آنها یک ترانزیستور از مادهای متفاوت - اکسید ایندیوم با افزودن گالیوم - ساختهاند. این ماده به الکترونها کمک میکند تا سریعتر حرکت کنند و خود ترانزیستور نیز پایدارتر عمل کند.
علاوه بر این، محققان از طراحی خاصی استفاده کردند که در آن عنصر کنترل (گیت) کانال جریان را از همه طرف احاطه میکند. این طراحی امکان صرفهجویی در فضای روی تراشه و افزایش کارایی دستگاه را فراهم میکند.
ترانزیستور جدید بسیار "چابک" از آب درآمد: الکترونهای موجود در آن سریعتر از اکثر دستگاههای مشابه حرکت میکنند. تقریباً سه ساعت تحت بار به طور قابل اعتمادی کار کرد - این برای فناوریهای جدید زیاد است. در عین حال، طراحی توسعه برای کاهش بیشتر اندازه مناسب است، که به ویژه برای پردازندههای مدرن مهم است.
در آینده، چنین ترانزیستورهایی میتوانند جایگزین ترانزیستورهای سیلیکونی شوند و امکان ساخت دستگاههای قدرتمندتر و مینیاتوریتر - از لپتاپها و تلفنهای هوشمند گرفته تا ابررایانهها و رباتها - را فراهم کنند.